tag:blogs.intel.com,2009:/cgi-bin/mt//feed/高k栅极介电质金属栅极 2009-11-23T19:49:55Z Movable Type 4.21-en 2 1 2 tag:blogs.intel.com,2008:/china//13.1251 2008-02-14T07:49:55Z 2008-02-25T01:49:38Z 赵军 (Jun Zhao) 下篇——达成目标实现量产 确定了新的材料，要在45纳米的量产中达到设定的目标也不是一件容易的事情。其中的艰辛就不再累述。现在看看新的材料在“高-K 栅极介电质+金属栅极”晶体管中带来了什么样的奇特效果。... tag:blogs.intel.com,2007:/china//13.978 2007-11-09T08:27:28Z 2008-02-14T07:19:04Z 赵军 (Jun Zhao) 中篇——大海捞针寻找新的替代材料 既然继续采用二氧化硅作为栅极介电质没有前途，那么就要另辟蹊径，有没有可以代替二氧化硅的材料呢？就是寻找比二氧化硅更好的“绝缘体”，用以更好的分隔栅极和晶体管的其他部分，而且替代材料需要具有比二氧化硅更高的介电常数和更好的场效应特性。...